回到了学校，顾松开始搜集起现有的论文起来。
他估摸着林耀东肯定是去海量搜集了，因为林耀东没有他目标明确。
顾松是直接开始搜索起来硅穿孔技术（TSV）的相关资料。
TSV技术其实早在1964年就由IBM提出了，并且在3年后获得了专利。
但这个技术想要运用在芯片封装上，还得解决很多问题。
在本身就已经微米级甚至纳米级的制程上搞工艺创新，涉及到晶圆薄化、刻蚀、过孔、晶圆颗粒接合、切割方方面面的难题。
当然，这些工艺并非无迹可寻。在现在，其实已经有了很多的研究，顾松得把他们找出来。
隔壁的三星，在06年完善了晶圆级TSV封装的技术，把2DNAND堆了8层。
先把TSV的工艺解决方案拿出来，然后再把内存颗粒的浮动栅结构改为电荷撷取闪存并且把它3D化，这就真成了3DNAND。到时候多层3DNAND再加多层TSV封装，闪存芯片就彻底进入新时代了。
至于下一代存储技术，等这一波工艺水平提上去再说。
图书馆里，顾松忙碌起来。
而在武湖，岑巩也开始忙碌起来。
有了详……
(ò﹏ò)
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