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第一千二百八十二章 ASM

1980年左右,中科院半导体所开始研制JK-1型半自动接近式光刻机,于1981年研制成功两台样机。

而由于美国在50年代就已经拥有了接触式光刻机,相比之下,中国落后了将近20年,同时国外从1978年开始转向分步重复投影光刻,此时中国科学界也认识到,分布投影光刻技术的优越性,但限于国内工业技术差难以实现。

在1978年世界上第1台DSW光刻机问世不久,机电部第45所,就开始跟踪研究分步式光刻机,对标美国的4800DSW,1985年研制出了BG-101分部光刻机样机,并通过电子部技术鉴定,认为达到了美国同类产品水平,而当时采用的是436纳米G线光源。

这也就意味着1985年的时候,中国在高科技领域与国外的差距拉近到了7年左右,也就是达到了美国1978年的水平。

可以看出国产光刻机。研发在上世纪70年代后期起不直到80年代,后期技术一直在推进,并且取得了一定的代表性成果。

然而到了80年代中后期,中国却因为技术封锁以及买办思想盛行,造成了光刻机的落后。

当时的……

(ò﹏ò)

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